專業(yè)知識考試-CF部

基本信息：
姓名：
部門：
員工編號:
以下哪種曝光方式的解析度最高（ ）
接近式曝光機的曝光 Gap 通常為（ ）
彩膜工藝中，負性光阻的特性是（ ）
以下哪種光源的壽命最長（ ）
顯影液的主要成分是（ ）
自動外觀檢查裝置（AOI）的誤判率要求控制在（ ）以內(nèi)
柱高測量設備中，用于高精度 3D 測量的鏡頭倍率通常為（ ）
以下哪種設備用于曝光前攔截基板異物，防止劃傷 Mask（ ）
彩膜烘烤設備中，爐內(nèi)熱風循環(huán)方式通常為（ ）
涂膠工藝中，New HR Nozzle 的優(yōu)勢是（ ）
清洗裝置中，二流體清洗主要針對的異物尺寸是（ ）
長寸法測定裝置中，Laser 的波長為（ ）
透過率測定裝置中，用于測量 RGB 膜厚的分光光度計波長范圍是（ ）
修正裝置中，Laser 修正可處理的最小缺陷尺寸為（ ）
PCP 設備的溫度控制精度要求為（ ）
17. 彩膜主要工藝流程包括涂布、______、顯影。
18. 曝光機的演變方向是從單 shot 單 stage 到______、______。
19. 光罩主體為______，正面鍍有______膜圖案。
20. 涂膠裝置主要由 Coater unit 和______組成。
21. 顯影后背面曝光裝置的波長范圍是______nm。
22. 不均檢查設備中，BM 制程主要測量______數(shù)據(jù)，RGB 制程主要測量______數(shù)據(jù)。
23. 長寸法測定裝置可測量的參數(shù)包括 TP、______和______。
24. 柱高測量設備的對位精度須控制在______以內(nèi)。
25. 掩膜板清洗裝置中，EUV 使用______nm 波長的紫外線。
26. 掃描式曝光裝置使用的光源是______
27. 斜光檢查設備中，手持燈的照度需≥______Lx
28. 透過率測定中，OD 值的測定范圍為______
29. 曝光前異物檢查裝置采用______平臺保證基板穩(wěn)定傳送
接近式曝光機存在光罩刮傷風險
負性光阻未受光部分在顯影時會被洗掉
MLH 光源的運維成本高于 LED
雙 Stage 設計的主要目的是提高設備稼動率
彩膜顯影后曝光可改善 taper 角
長寸法測定裝置的溫控單元需將溫度穩(wěn)定在 25±0.1℃
柱高測量設備使用白光干涉原理
斜光檢查設備主要依靠自動化檢測，無需人工參與
掩膜板清洗中，納米氣泡的平均直徑約為 70nm
掃描式曝光裝置的投影比例為 1:2
簡述顯影設備中藥刀和水刀的作用。
解釋柱高測量設備的工作原理。
簡述掃描式曝光裝置的工作原理。
彩膜涂膠工藝中，為保證膜厚均一性，在涂膠方向（MD）和垂直涂膠方向（TD）分別采取了哪些關鍵措施？
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