CVD設(shè)備制程介紹
基本信息：
姓名：
科室：
工號(hào)：
一、 填空題(10×4分 )
2. 1. CVD 全稱: ______ 。
3. 2. CVD 所用的氣體包含（例舉5種）:______ ______ ______ ______ ______。
4. 3. CVD Mainframe包含:______
5. 4. t4 使用heating chamber 是哪些layer: ______
二、不定項(xiàng)選擇題(5×10分)
1. CVD process 時(shí)候，氣體流經(jīng)的路徑: （）
A. Gas panel
B. RPSC
C．ZFFT
D．Diffuser
2. 氣體成膜制程是發(fā)生在以下哪個(gè)Chamber （）
A.Loadlock
B. Transfer Chamber
C. Process Chamber
D. Anneal Chamber
3. Loadlock的作用是 （）
A.大氣與真空相互轉(zhuǎn)換
B.基板冷卻
C. 膜層沉積
D. 高溫烘烤
4. Process Chamber Lid的組成包含 （）
A. Diffuser
B.Backing Plate
C.Lid Body
D.Susceptor
5. Anneal Chamber最多可以同時(shí)幾片Glass進(jìn)行制程 （）
A. 4
B.5
C.6
D.7
三、簡(jiǎn)答題(1×10分)
1.CVD 成膜原理?
1. 反應(yīng)氣體導(dǎo)入反應(yīng)器中，在熱能、等離子體或光能的作用下發(fā)生解離而變成活性極強(qiáng)的離子或離子團(tuán)（Plasma）,離子或離子團(tuán)通過(guò)擴(kuò)散方式到達(dá)固體基板表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成固態(tài)產(chǎn)物并沉積在基板表面
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