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Array制程Process Flow試卷
基本信息：
姓名：
科室：
工號(hào):
一． 單選題（每題5分，共25分）
1. 像素定義區(qū)指的Array Process是 （）
A. PLN
B. GE
C. PDL
D. PS
2. TFT（MOS管）的基本結(jié)構(gòu)中不包含以下哪個(gè) （）
A. 源極
B. 柵極
C.電極
D. 漏極
3. Array基本制程順序?yàn)椋ǎ?/legend>
A. 涂布—鍍膜—曝光—顯影—刻蝕—?jiǎng)冸x
B. 鍍膜—顯影—曝光—涂布—刻蝕—?jiǎng)冸x
C. 鍍膜—涂布—曝光—顯影—刻蝕—?jiǎng)冸x
D. 鍍膜—顯影—曝光—涂布—刻蝕—?jiǎng)冸x
4. 以下哪個(gè)不是AMOLED顯示技術(shù)路線(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)（）
A. 自發(fā)光
B. 柔性顯示
C. 高壽命
D. 低功耗
5. AMOLED TFT電路的基本結(jié)構(gòu)為 （）
A. N型半導(dǎo)體
B. 本征半導(dǎo)體
C. P型半導(dǎo)體
D. 復(fù)合半導(dǎo)體
二． 多選題（每題10分，共50分）
1. AOLED顯示常用7T1C電路中，以下制程對(duì)應(yīng)說(shuō)法正確的（）
A. Poly:主要為形成TFT溝道
B. Gate1:TFT柵極以及電容下極板
C. SD:信號(hào)走線(xiàn)以及電容上極板
D. CNT Hole:接觸孔
2. PLN1作為平坦化層的主要作用（）
A. 平坦化作用，隔離TFT與Pixel，防止電場(chǎng)互相干擾
B. 填充彎折區(qū)
C. 去除Particle，去除ILD孔內(nèi)氧化物,降低Poly-SD接觸電阻
D. 形成SD1-SD2 Contact hole
3. AOLED 中GE2制程主要工藝描述正確是（）
A. Pre CLN（HF）:HF酸去除Mo氧化物，去除Particle
B. GI2 Depo:CVD高介電常數(shù) (K=7±0.5)，增大GE1&GE2之間電容，H source，修補(bǔ)TFT缺陷，改善電性
C. GE2 STR:水洗去除Particle
D. GE2 PHO:形成電容及部分走線(xiàn)圖案
4. AOLED 中MCD（CNT/Bending）制程主要工藝描述正確是（）
A. Pre CLN（HF）:HF酸去除Mo氧化物，去除Particle
B. Activ./Hyd:活化:使植入的B離子與Poly-Si形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu);補(bǔ)氫:H離子與Si懸掛鍵連接，修補(bǔ)GI/Poly截面缺陷;
C. DH1 STR:改善電性
D. DH1 PHO:CNT孔&Bending區(qū)
5. AOLED 中SD1（Source&Drain源&漏）制程主要工藝描述正確是（）
A. Pre CLN (BOE):去除Particle，去除ILD孔內(nèi)氧化物,降低Poly-SD接觸電阻
B. SD PHO:形成Vdd&Vdata圖案
C. SD STR:形成Vdd&Vdata及跨接走線(xiàn)
D. TEG:確認(rèn)TFT電性
三． 簡(jiǎn)答題（共25分）
1.請(qǐng)簡(jiǎn)述PLN1（Planarization平坦層）主要Process流程
2.請(qǐng)簡(jiǎn)述AND主要Process流程
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